日, 기존보다 1만 배 빠른 메모리 개발

- 기존 NAND형 플래시보다 월등한 ReRAM -

- 세계시장 흐름 바꿔놓을 신형 메모리 개발경쟁 가속 -

     

     

     

□ 샤프 엘피다 차세대 메모리 공동개발

     

 ○ 일본의 전자기기기업 샤프와 엘피다는 최근 차세대 반도체 메모리를 공동개발하기로 결정했다고 발표했음. 새로운 메모리는 현재 휴대단말기 등에 사용되는 NAND형 플래시메모리와 비교할 때 정보처리 속도와 전력사용 효율성에서 모두 우수한 기능을 가질 것으로 전망됨.

     

 ○ 2013년 실용화를 목표로 계획을 잡았으며 휴대단말기는 사용처를 늘려나갈 예정이라고 함. 현재 차세대 메모리 개발은 일본의 도시바와 한국의 삼성전자 등도 추진 중임.

     

 ○ 이번 공동개발은 일본 굴지의 전자기업이 힘을 합쳐 본격적인 양산판매를 염두해두고 추진하는 프로젝트라는 점에서 주목을 받음.

     

□ 반도체 메모리시장 현황

     

 ○ 오늘날 반도체 메모리의 수요는 굉장히 높음. 이 중에서도 휴대폰 등 휴대용 정보단말기로 선명한 화질의 동영상을 시청하는 등 대용량 데이터를 다루는 소비자가 늘면서 이러한 흐름은 가속화됨.

     

 ○ 반도체 메모리에서 데이터의 처리속도 향상이나 전력소비량 절감의 두 가지 과제가 항상 중요한 포인트로 인식됨. 현재 많이 사용되는 NAND형 플래시 등 기존 메모리의 성능을 높이기 위한 회로선 넓이의 미세화 진행이 올해 안에 한계에 도달할 것으로 전망됨.

     

 ○ 이런 점에서 기존 메모리의 한계를 넘어선 속도처리 능력과 전력사용 효율성을 기대하려면 새로운 반도체 메모리 개발이 필요하다는 목소리가 계속돼옴. 실제로 전 세계 주요 기업 간 개발경쟁이 치열한 추세임.

     

□ 공동개발 메모리는 ReRAM

     

 ○ 샤프와 엘피다가 공동개발을 목표로 하는 메모리는 바로 저항변화식 메모리(ReRAM)로서 이론상으로는 기존 NAND형 플래시보다 약 1만 배 이상 빠른 속도로 데이터를 처리할 수 있고 가동 시 필요한 전력량도 절감할 수 있다고 함.

     

 ○ ReRAM 메모리는 전원을 꺼도 데이터가 지워지지 않는 반도체 메모리의 한 종류임. 전압을 바꾸면 저항치가 크게 변하는 재료가 사용되는데, 이로 인해 발생하는 저항차이를 통해 데이터를 기록하는 방식임.

     

 ○ 메모리의 구조가 간단해서 회로의 미세화를 통한 성능향상이 용이한 장점이 있으며, 휴대단말기나 PC에 사용되는 하드디스크 등 다양한 활용이 가능할 것으로 예상됨.

     

□ 메모리 공동개발을 위한 향후 계획

     

 ○ 양사는 각자가 가진 장점을 최대한 활용해 공동개발을 통한 시너지효과를 내는데 주력할 방침임. 샤프가 가진 재료기술과 제조방법에 엘피다가 가진 미세가공기술을 접목시켜 효율성을 높이는 것을 목표로 함.

     

 ○ 샤프와 엘피다 외에도 산업기술종합연구소, 도쿄대학 그리고 기타 반도체 제조장치 메이커도 이번 개발에 참여하며 빠른 시일 안에 산업기술종합연구소의 거점인 쯔쿠바에서 시범제품 개발을 시작함.

     

 ○ 반도체 성능의 핵심인 회로선 넓이는 현재 사용되는 메모리에 필적하는 30나노미터(10억분의 1미터) 수준의 미세화 기술을 사용함. 빠르면 2011년 중에 재료나 주요 구조기술을 확정하고 2013년에 샘플을 출하시켜 양산을 추진한다는 계획임.

     

세계 주요 반도체 기업 차세대 메모리 개발현황

 

□ 다양한 활용방법

     

 ○ 실용화에 성공한다면 엘피다 사의 생산거점을 통한 양산체제에 들어갈 것으로 예상됨. 여기서 생산되는 제품을 샤프의 휴대전화 및 다기능휴대단말기 등에 사용할 계획이며 다른 전자기기 메이커를 대상으로 판매하는 방향도 검토 중임.

     

 ○ 신형 메모리를 사용하면 전력소비량이 적고 데이터 처리속도가 빠르다는 장점을 최대한 살릴 수 있는 다양한 분야에 적용이 가능함. 예를 들면 고화질HD 영화 한 편을 불과 몇 초 만에 다운로드 받거나 기기를 사용하지 않는 대기 중에는 전력사용을 제로에 가깝게 절감하는 등의 효과가 기대됨.

     

□ 시사점

     

 ○ 지금까지 반도체 메모리시장은 한국의 삼성, LG가 전 세계를 석권해왔음. 하지만 기존 메모리 방식의 성능이 한계에 다다르자 한국 기업을 비롯한 경쟁사들은 새로운 방식의 메모리 개발에 박차를 가하기 시작했음.

     

 ○ 삼성전자도 이미 ReRAM을 포함한 데이터처리가 빠른 상변화 메모리(PRAM), 덮어쓰는 횟수가 무제한인 자기기록식 메모리(MRAM) 등 다양한 메모리를 개발 중이며, 일본의 도시바는 입체구조의 신형 플래시를 개발 중임.

     

 ○ 빠른 처리속도와 전력량 절감 그리고 가장 중요한 제작비용 인하 등 수요처들이 필요로 하는 몇 가지 기능이 향상된 제품을 먼저 내놓는다면 전 세계 반도체 메모리시장의 흐름은 단번에 바뀔 수 있다는 것이 업계 관계자들의 공통된 의견인 만큼, 이번 샤프와 엘피다에 공동개발에 더불어 한국 기업들의 신형 메모리 개발 등이 향후 시장의 판도에 영향을 미칠 결과에 관심이 주목됨.

     

 

자료원 : 일본경제신문, 요미우리신문, KOTRA 도쿄KBC 등