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세계 최대 노어플래시 메모리 합자회사 탄생
2007-05-23 김영호 프랑스 파리무역관

세계 최대 노어플래시 메모리 합자회사 탄생

- STMicroelectronics사, 인텔사와 합작투자 회사 설립 –

 

보고일자 : 2007.5.23.

김영호 파리무역관

yh.kim@kotra.fr

 

 

 합작투자 배경

 

  2006년 노어(NOR) 플래시 메모리 분야에서 2006년에 각각 경영적자를 기록한 프랑스-이탈리아 그룹 STMicroelectronics 및 미국 인텔(INTEL)사, 규모의 산업체제 필요성에 공감

 

  인텔사는 2005년에 미국 기업 마이크론(Micron)과 합작투자 설립한 낸드(NAND) 플래시 메모리 제조회사는 그대로 두고 노어(NOR) 플래시 메모리 분야에서만 STMicroelectronics 사와 합작투자해 독립회사를 설립하는 것으로 2007년 5월 23일 합의

 

 ○ STMicroelectronics사는 낸드 플래시 메모리 분야에서 한국 하이닉스(HYNIX)사와 합작투자한 지분도 이 신생 회사에 투입할 예정이어서 낸드 플래시 메모리 분야에서는 인텔사와 경쟁 관계가 될 형상임.

 

 신생회사

 

  스위스에 본사를 두고 네덜란드 법을 적용하게 될 합작투자회사는 아직 회사명이 밝혀지지 않은 상태인데 전 세계에 9개 연구센터 및 제조공장을 가지게 될 것이며 8000명의 종업원에 연간 36억 달러 이상의 매출규모로 노어 플래시분야 세계 제1위 그룹이었던 SPANSION사를 능가하는 대규모임.

 

  신생 자이언트 합작투자기업의 지분은STMicroelectronics사가 48.6%, 인텔사가 45.1%, 나머지 6.3%는 1억5000만 달러를 지참한 FRANCISCO PARTNERS 투자펀드 회사가 각각 차지함.

 

  STMicroelectronics 및 미국 인텔(INTEL)사는 이 합작투자 기업에 더 이상의 자본 투입을 하지 않을 방침이어서 이 신생기업은 주주 배당금 및 자체 경비를 13억 달러의 융자금과 2억5000만 달러의 리볼빙(REVOLVING) 크레디트로 충당할 계획임.

 

 ○ 이 신생 대기업은 합작투자 파트너 그룹들의 경영적자 문제를 해결하기 위해 머지않아 상장 등록을 할 계획임.

 

□ 주요 업체별 노어플래시 메모리 세계 시장점유 현황

 

 ○ SPANSION사는 2006년 매출이 25% 증가해 세계 노어 플래시 메모리 시장의 29.9%를 차지했음.

 

 ○ 2005년까지 노어 플래시 메모리 시장의 선두주자 역할을 해오던 인텔사는 2006년 매출이 약 10% 감소해 세계 시장 점유율이 26.1%로 떨어져 2위로 밀려났음.

 

 ○ 3위는 15.7%의 시장 몫을 차지한 프랑스-이탈리아 그룹 STMicroelectronics사가 고수했음.

 

 ○ 삼성은 높은 증가율을 기록했음에도 불구하고 11.2%의 시장 점유율을 기록해 4위에 그쳤음.

 

주요 업체별 2006년도 노어플래시 메모리 세계시장 점유현황

                                                                                                           (단위 : 백만 달러, %)

업체명

매출실적

시장 점유율

SPANSION

1,831

29.9

INTEL

1,597

26.1

STMicroelectronics

959

15.7

SAMSUNG

685

11.2

TOSHIBA

395

6.5

SHARP

214

3.5

MICRON TECHNOLOGY

188

3.1

RENESAS TECHNOLOGY

150

2.4

MACRONIX INTERNATIONAL

49

0.8

SILICON STORAGE TECHNOLOGY

28

0.0

         자료원 : iSuppli / les Echos 프랑스 일간 경제지(2007.5.23)

 

□ 시사점

 

 ○ 논리 회로의 차이로 인해 낸드(NAND) 및 노어(NOR) 형으로 구분돼 각각 다른 장, 단점 때문에 서로 다른 용도로 이용되고 있는데, 노어 플래시는 정보 저장과 읽기가 매우 빠르고 진동에 강하며 전력소비가 적기 때문에 주로 전원공급 상의 제약이 있는 휴대 전화 및 PDA 등 인터넷 접속 기능 프로그램을 보존하는 저장 매체로도 이용되고 있는데 이 시장은 최근 2년 동안에는 감소해 인텔을 비롯한 10여 개의 경쟁업체 간 경쟁이 더욱 치열해짐.

 

낸드(Nand) 및 노어(NOR) 플래시 메모리의 장, 단점 및 용도

유형별

장점

단점

용도

낸드(Nand)

플래시

- 생산 단가가 낮음.

- 용량이 큼.

임의접근이 느림

디지털 카메라, MP3, PMP, 휴대전화, 전자사전 등

노어(NOR)

플래시

- 프로그램 등의 제어 및 임의 접근속도가 빠름.

- 데이터 저장 및 읽기 속도가 빠름.

용량이 적음

제어기기, 휴대 전화, PDA,

게임기

         자료원 : EE TIMES 등 각종 자료 종합

 

세계 플래시 메모리 시장 전망

                                                                                                          (단위 : 백만 달러, %)

유형별

2003

2004

2005

2006

2007

2008

낸드

4,503

(105.2)

6,467

(43.6)

10,046

(55.3)

12,861

(28.0)

14,827

(15.3)

17,758

(19.8)

노어

7,237

(29.9)

9,143

(26.3)

7,942

(-13.1)

8,322

(4.8)

8,675

(4.2)

9,076

(4.6)

합계

11,740

(51.1)

15,610

(33.0)

17,988

(15.2)

21,183

(17.8)

23,502

(10.9)

26,834

(14.2)

           자료원 : World Semiconductor Trade Statistics(2005.10)

 

 ○ 노어플래시 시장규모는 2004년 91억 달러에서 2005년 79억 달러로 감소돼 낸드 플래시 시장 규모에 최초로 뒤졌으며 두 메모리의 지난 수 개년 성장속도를 감안했을 때 노어 플래시는 더 이상 낸드 플래시 시장규모를 따라잡지 못할 전망임.

  - 이는 주로 프로그램의 신속 저장 및 판독에 사용하는 노어 형의 주 수요처인 휴대전화기 및 PDA 시장이 한계에 달한 데 반해, 단순 자료 저장용에 적합한 낸드형의 주 수요 처인 디지털 카메라, MP3, PMP, 휴대 전화, 전자사전 등의 시장은 급성장하고 있기 때문임.

 

 ○ 노어 플래시 메모리는 휴대전화 전용 멀티 칩 패키지(MCP)로 인식돼 있듯이 여타 메모리와 혼재한 제품으로서 공급되는 경우가 많아 타사와 차별화되는 패키지 기술이 부가가치를 창출하고 있음.

 

 ○ 그러나 이미 진입 기업이 많아 과당 경쟁에 빠져 있는 노어 플래시 업계는 이러한 고부가가치 전략으로는 크게 수익을 못 내고 있어 인텔 및 STMicroelectronics사처럼 대규모 사업 재편을 통해 수익성을 재고하는 사례가 늘어날 가능성이 높음.

 

 ○ 낸드 플래시 메모리 업계는 D램에서의 교훈을 살려 제조 노하우 및 특허 전략을 통해 과당 경쟁을 피하면서 고성장을 향유해 나가고 있으나, 가격경쟁 면에서는 D램처럼 과잉 공급의 위험이 잠재하고 있으며 최근 급증하는 시장 수요에 대응해 증산 투자 의사를 표명하고들 있어 공급 과잉 현상이 나타날 위험성이 점증하고 있음.

 

 ○ 한국 낸드 플래시 산업체들은 현재 대만 등을 비롯한 세계 주요 시장에 대량 수출하면서 세계 시장을 리드해 나가고 있기 때문에 인텔 및 STMicroelectronics사의 노어 플래시 합작투자기업 설립으로 인한 직접적인 영향은 받지 않을 것이나 삼성의 경우는 노어 플래시 메모리 산업에도 종사하고 있어 이들의 대규모 사업 재편이 수익성 및 가격경쟁력 향상으로 이어지는 시점에서는 세계 시장 확대에 적지 않은 어려움을 겪을 가능성도 배제할 수 없음.

 

 

정보원 : LES ECHOS, LA TRIBUNE(2007.5.23) 및 World Semiconductor Trade Statistics(2005.10)

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